Купить Сильнее, чем Новинка транзисторы m168+ СОЭ+ индуктивность функция Тесты

Описание

Транзисторы тестер

Увеличение версии функции M8 следующих функций:

1. Мера еср (Эталонное значение, а не линейное измерение)

2. Измерение сопротивления серии

3. сопротивление и индуктивность индуктивности

4. Измерение низкого сопротивления (0.5 Европа больше)

5. Увеличение гуманного графического дисплея

6. улучшенное измерение устойчивости к измерениям

Параметры
Измерение емкости: 100pf-10,000 мкФ
Измерение сопротивления: 0.5 Ом-20мом (общее сопротивление, регулируемая стойкость и сопротивление серии)
Измерение индукции: 0.1 mH-10 h
Тест и выявление всех транзисторов: биполярное (NPN, PnP), FET, mosfet's (n-channel, p-channel, режим усиления и режим истощения MOSFET), тиристоры, индукторы, СКС и двунаправленная булавка. Тестовые и идентификационные булавки и диодный диод, два диода, диоды Варика, zener диод (испытательное напряжение до 5 В) и светодиод.
Требования к мощности: 8-12 В

Тест и выявление всех транзисторов: биполярное (NPN, PnP), FET, mosfet's (n-channel, p-channel, режим усиления и режим истощения MOSFET), тиристоры, индуктивное сопротивление и двунаправленный Тиристор свинца ноги.
Тестирование и идентификация контактов и напряжение диода, два диода, диоды varriter, zener диод (испытательное напряжение до 5 В) и светодиод.
Требования к мощности: 8-12 В

Основные характеристики:
* Автоматическое обнаружение NPN и PNP транзисторного типа, автоматическое обнаружение N-канала и p-канала FET type (MOSFET), автоматический диодный диод (в том числе биполярные диоды), автоматическое обнаружение тиристоров, транзисторов автоматического обнаружения, автоматическое обнаружение резисторов и конденсаторов (емкость и сопротивление).
* Обнаружение фактора усиления и транзисторного основания-излучатель переднего напряжения проводимости
* Pin-автоматическое обнаружение и отчетность о испытательном элементе (например, транзисторный B, C, e; фет г, д, с; диод К, а и т. д.)
* Обнаружение FET (mosfet) ворот порогового напряжения (на напряжении) и емкости ворот,
* Обнаружение транзисторов и полевой эффект транзисторной (mosfet tube) внутренний защита диода (ЖК-значок)
* Тестовые значения отображены в ЖК-экране (2*16 символов)
* Время испытания деталей: 2 секунды (кроме большего конденсатора)
* Дисплей элемента значка и удобный дисплей, значительно улучшающий эффективность чтения
* Одна кнопка работы, автоматическое отключение

Примечание:Дисплей с подсветкой, LCD1602 стандартный интерфейс.

100 К Регулируемое сопротивление

Сильнее, чем Новинка транзисторы m168+ СОЭ+ индуктивность функция Тесты