Купить M168 модуль сильная версия Транзистор Тесты+ esr+ Индуктивный функция

Описание

Транзисторы тестер

Добавьте следующую функциональность, чем версия M8:

Измерение 1.esrКонтрольное значение не может быть измерено онлайн)

2 серии измерение сопротивления

3 резистентность и индуктивность

4 измерения низкого сопротивления (более 0.5 Ом)

5 увеличение человеческого графического дисплея

6 Улучшенный формат отображения сопротивления

Параметр
Измерение емкости: 10000 мкФ-100пф
Измерение сопротивления: 0.5 Ом 20 м (общее сопротивление, регулируемая стойкость и сопротивление серии)
Измерение индукции: 10 Ч-0.1mh
Тестирование и идентификация всех транзисторов: биполярное (NPN, PnP), полевой эффект транзисторов, MOSFET (N канал, p канал, режим усиления и режим истощения MOSFET), тиристор, индуктор, тиристор и двунаправленные булавки. Выявление и тестовые булавки и напряжение диода, двойной диод, варитель диод, zener диод (испытательное напряжение до 5 В и светодиодный).
Требования к мощности: 8-12 В

Определить и проверить все биполярные транзисторы: (NPN, PnP), FET, MOSFET (N канал, режим расширения P канала и истощение MOSFET), сопротивление тиристора, индуктивность, SCR и двунаправленный pin.
Выявление и тестовые булавки и напряжение диода, двойной диод, варитель диод, zener диод (испытательное напряжение до 5 В и светодиодный).
Требования к мощности: 8-12 В

Основные функции:
* Автоматическое обнаружение NPN и PNP типа транзисторный, автоматическое обнаружение N канала и p-канала полевой эффект типа трубки (mosfet), автоматический диодный диод (включая биполярные диоды), автоматическое обнаружение тиристора автоматического обнаружения, автоматическое обнаружение транзисторов, резисторов и конденсаторов (емкость и сопротивление).
* Обнаружение фактора усиления и положительное напряжение транзисторного базового Излучателя
* Автоматическое обнаружение и тестирование компонентов протокола pin (например, транзистора B, C, e; фильтрующая труба g, d, s; Диод K, a и т. д.)
* Для обнаружения порогового напряжения ворот (включение напряжения) и ворот емкости поля эффект транзисторный (mosfet),
* Обнаружение транзисторного и полевого эффекта транзисторного (mosfet трубки) внутренней защиты диода (ЖК-значок дисплея)
* Тестовые значения отображены на ЖК-экране (2*16 символов)
* Время испытания: 2 секунды в целом (за исключением большого конденсатора)
* Дисплей компонентов и гуманизированный дисплей, значительно улучшающий эффективность чтения
* Одна ключевая операция, автоматическое отключение

Будьте осторожныЭкран дисплея-подсветка, стандартная LCD1602 интерфейс.

100 К Регулируемое сопротивление

M168 модуль сильная версия Транзистор Тесты+ esr+ Индуктивный функция